Основно представяне на SOI Silicon Wafer

Компанията може да предостави на клиентите различни спецификации и висококачествени силициеви пластини SOI (Silicon On Insulator-Silicon On Insulator), които са подходящи за клиенти в широк спектър от приложения, включително MEMS, захранващи устройства, сензори за налягане и производство на CMOS интегрални схеми. SOI пластините осигуряват добро решение за високоскоростни и нискоенергийни устройства и се считат широко за ново решение за високоволтови и RF устройства. Вафлата SOI е подобна на сандвич сандвич структура с три слоя; включително горния слой (слой на устройството), средния заровен оксиден слой (изолационен слой SiO2) и долния субстрат (насипен силиций). SOI пластините се произвеждат по метода SIMOX и технологията за свързване на пластини, така че да могат да се постигнат по-тънки и по-прецизни слоеве на устройството, еднаква дебелина и ниска плътност на дефектите.