Описание

Технически параметри

Описание на продукта

SiC epi wafer е висококачествен и усъвършенстван полупроводников продукт на пазара. Това е вид епитаксиална пластина от силициев карбид, която осигурява отлична производителност в различни електронни и оптични приложения. SiC epi вафлата се произвежда чрез използване на усъвършенствани техники за растеж на кристали, което води до висококачествен материал с превъзходни свойства.

Едно от значителните предимства на SiC epi пластината е нейното високо напрежение на пробив, което я прави идеален избор за приложения с висока мощност и висока температура. Освен това е силно устойчив на термични и механични натоварвания, което гарантира стабилност и издръжливост дори в тежки условия. Неговите отлични свойства на топлопроводимост позволяват ефективно разсейване на топлината, намалявайки риска от топлинно увреждане на електронните компоненти.

SiC epi пластината се използва широко в различни електронни и оптоелектронни устройства, включително силова електроника, осветление и сензори. Той осигурява отлична производителност и надеждност, дори при взискателни приложения, които изискват висока температура и висока мощност. Освен това, това е екологична и устойчива алтернатива на традиционните материали на основата на силиций, което го прави идеален избор за екологично съзнание потребители.

4H N-ТИП SiC 100MM% 2c 350μm СПЕЦИФИКАЦИЯ НА ВАФЛАТА
Номер на артикула	W4H100N-4-PO (или CO)-350
Описание	4H SiC субстрат
Политип	4H
Диаметър	(100+0.0-0.5) мм
Дебелина	(350±25) μm (инженерна степен ±50μm)
Тип превозвач	n-тип
Допант	Азот
Съпротивление (RT)	0.012-0.025Ω▪cm (Инженерна степен<0.025Ω▪cm)
Ориентация на вафли	(4+0.5) степен
	Инженерна степен	Степен на производство	Степен на производство
	2.1	2.2	2.3
Плътност на микротръбата	По-малко или равно на 30 cm-²	По-малък или равен на 10 cm²	По-малко или равно на 1 cm-²
Зона без микротръба	Неопределено	По-голямо или равно на 96%	По-голямо или равно на 96%
Ориентация плоска (OF)
Ориентация	Паралел {1-100} ±5 градуса
Ориентация плоска дължина	(32,5±20) мм
Плосък за идентификация (IF)
Ориентация	Si-лице: 90 градуса cw, от плоска ориентация ±5 градуса
Идентификация плоска дължина	(18.0+2.0) мм
Повърхност	Опция 1: Si-face стандартен лак Epi-ready C-face оптичен лак
	Опция 2: Si-face CMP Epi-ready, C-face оптично полиране
Пакет	Кутия за много вафли (25).
	(Единична опаковка вафла при поискване)

6H N-ТИП SiC, 2" СПЕЦИФИКАЦИЯ НА ПЛАСТИНА
Номер на артикула	W6H51N-0-PM-250-S
Описание	Производствен клас 6H SiC субстрат
Политип	6H
Диаметър	(50,8±38) мм
Дебелина	(250±25) um
Тип превозвач	n-тип
Допант	Азот
Съпротивление (RT)	0.06-0.10Ω▪cm
Ориентация на вафли	(0+0.5) степен
Плътност на микротръбата	По-малко или равно на 100 cm²
Ориентация плоска ориентация	Паралел {1-100} ±5 градуса
Ориентация плоска дължина	(15,88±1,65) мм
Идентификация плоска ориентация	Si-face: 90 градуса cw. ориентация на флоу ±5 градуса
Идентификация плоска дължина	(8+1.65) мм
Повърхност	Si-face стандартен лак Epi-ready
Повърхност	C-лице матирано
Пакет	Опаковка Единичен вафлен пакет или кутия за доставка на множество вафли

Снимка на продукта

SiC GaN Wafer1

Защо да изберете нас

Нашите продукти се доставят изключително от петте най-големи световни производители и водещи местни фабрики. Поддържа се от висококвалифицирани местни и международни технически екипи и строги мерки за контрол на качеството.

Нашата цел е да предоставим на клиентите цялостна индивидуална поддръжка, осигурявайки гладки канали за комуникация, които са професионални, навременни и ефективни. Ние предлагаме ниско минимално количество за поръчка и гарантираме бърза доставка в рамките на 24 часа.

Фабрично шоу

Огромният ни инвентар се състои от 1000+ продукта, което гарантира, че клиентите могат да правят поръчки само за една бройка. Нашето собствено оборудване за нарязване и шлайфане и пълното сътрудничество в глобалната индустриална верига ни позволяват бърза доставка, за да гарантираме удовлетворение и удобство на клиентите на едно гише.

Нашият сертификат

Нашата компания се гордее с различните сертификати, които сме спечелили, включително нашия патентен сертификат, сертификат ISO9001 и сертификат за национално високотехнологично предприятие. Тези сертификати представляват нашата отдаденост на иновациите, управлението на качеството и ангажимента към високи постижения.