Силиконовите вафли са носителите на повечето чипове. Въпреки това, парче силициева вафла крие много неизвестни детайли, като например: Какви са кристалните ориентации на силициевите вафли? Колко ръбове за позициониране има? Как се позиционира позициониращият ръб? Каква е разликата между ръба на позиционирането и жлеба за позициониране? И така нататък. Нека го обясним подробно днес.
Какъв е ръбът\/жлеба на позиционирането?
Грозенът за позициониране (Notch) се използва за позициониране на силиконови вафли над 8 инча (включително), а ръбът на позиционирането (плосък) се използва за позициониране на силиконови вафли под 8 инча.
Позиционирането на силициеви вафли е къса страна на силициевата вафла, а жлебът за позициониране е полукръгла или V-образна прореза на ръба.
Как се правят канали\/ръбове за позициониране?
След като методът на CZ се използва за издърпване на сливането, двата края трябва да бъдат отрязани, а след това силиконовата колона е радиално заземяваща, за да се получи подходящ диаметър, а след това част от силиконовата колона се смила, за да се получи ръбът на позициониране, а накрая, силиконовата колона се нарязва на силициеви вафове един от един с телена трион или вътрешна машина за изрязване на кръг.
Връзка с кристална ориентация и допинг
Като цяло, само ръбът на позициониране има функцията да посочи ориентацията на кристала и типа допинг. Кристалната ориентация и допинг тип на силициевата вафла се определят според позицията и броя на ръбовете за позициониране. Гропът за позициониране ще бъде в долната част на силициевата вафла, а кристалната ориентация и типа допинг не могат да бъдат интуитивно виждани през канала за позициониране. Общите кристални ориентации са<100>, <110>, <111>, а типовете допинг са N-тип и P-тип.
Броят на позиционирането на ръбовете на силициева вафла е един или два. Типът силициева вафла само с един ръб на позициониране е P-тип<111>. Ако силициевата вафла има два ръба за позициониране, тогава по -дългият ръб на позициониране е основният ръб на позициониране, а по -късът е вторичният ръб на позициониране. Основният ръб на позиционирането е главно удобен за подравняването на силициевата вафла в процеса на полупроводници, докато вторичният ръб на позициониране показва ориентацията на кристала и типа допинг. Основният ръб на позиционирането е в долната част на силициевата вафла, докато положението на вторичния ръб на позициониране не е фиксирано и се променя с промяната на ориентацията на кристала и допинг тип на вафлата.
Като цяло, дължината на основния ръб на позициониране на 2- инча вафла е 15,8 mm, дължината на основния ръб на позициониране на 4- инча вафла е 32,5 mm, а дължината на основния ръб на позициониране на 6- инча вафал е 57,5 мм.
Когато ъгълът между основния ръб на позициониране и ръба на вторичното позициониране е 45 градуса, типът силиконова вафла е N-тип<111>; Когато ъгълът между основния ръб на позициониране и ръба на вторичното позициониране е 90 градуса, типът силиконова вафла е P-тип<100>; Когато ъгълът между основния ръб на позициониране и ръба на вторичното позициониране е 180 градуса, типът силиконова вафла е N-тип<100>. Тъй като<110>Кристалната ориентация не е основна силициева вафла кристална ориентация, няма стандарт, който да я представя. The<110>Кристалната ориентация може да бъде представена според стандартите на доставчика на силиконови вафли.
Влиянието на кристалната ориентация върху полупроводниковата технология
На кристалната равнина (100), подреждането на силициевите атоми е тетрагонална, докато на кристалната равнина (111), подредбата на силициевите атоми е шестоъгълна. Тъй като силициевите атоми на кристалната равнина (111) са по -компактни, химическата им реактивност е сравнително ниска, докато кристалната равнина (100) е обратна и има по -висока химическа реактивност.
Следователно, силиций върху (100) кристална равнина ецва по -бързо от силиций върху кристалната равнина (111), а скоростта на окисляване на кристалната равнина (111) обикновено е по -ниска от тази на кристалната равнина (100).
Влиянието на допинг концентрацията на силициеви вафли върху полупроводниковите процеси
По време на процеса на офорт допаните увеличават проводимостта на силиций, което го прави по -податлив на електрохимично офорт. Различните концентрации на допинг ще доведат до различни скорости на офорт, а силно легираният силиций обикновено ще ецва по -бързо.
По време на процеса на дифузия, концентрацията на допинг на силициевата вафла също ще повлияе на скоростта на дифузия на допанта в силиций. Силно легираният силиций ще доведе до разпръскване на допанта.
