Представяне на продукта и приложение на галиев арсенид

Галиевият арсенид, с химическа формула GaAs, е съставен полупроводник от група III-V. Състои се от арсен и галий. Има яркосив външен вид, метален блясък и е крехък и твърд. Сложните полупроводникови материали с превъзходни характеристики като висока честота, висока подвижност на електрони, висока изходна мощност, нисък шум и добра линейност са едни от най-важните поддържащи материали за индустриите на оптоелектрониката и микроелектрониката.
На ниво приложение в оптоелектронната индустрия монокристалите GaAs могат да се използват за направата на LD (лазери), LED (светоизлъчващи диоди), оптоелектронни интегрални схеми (OEIC) и фотоволтаични устройства.
На ниво приложение в индустрията на микроелектрониката може да се използва за направата на MESFET (метален полупроводников полеви транзистор), HEMT (транзистор с висока подвижност на електрони), HBT (хетеропреходен биполярен транзистор), IC, микровълнов диод, устройство на Хол и др.
Това включва главно военни електронни приложения от висок клас, комуникационни системи с оптични влакна, широколентови сателитни безжични комуникационни системи, тестови инструменти, автомобилна електроника, лазери, осветление и други области. Като важен полупроводников материал подвижността на електроните на GaAs е пет пъти по-голяма от тази на силиций и галиев нитрид. Използва се в микровълнови устройства с малка и средна мощност с по-малка загуба на мощност. Поради това се използва в мобилни телефонни комуникации, локални безжични мрежи, GPS и автомобилни радари. доминиращ в.